400-888-8888
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| 公开号 | CN119286250A |
| 申请号 | CN202411512078.1 |
| 申请日 | 2024.10.28 |
| 发明名称 | 一种低填充高储能柔性电介质材料及制备方法 |
| 申请人 | 聊城大学; |
| 摘要 | 本发明公开了一种低填充高储能柔性电介质材料，该低填充高储能柔性电介质材料由>98.00wt％的聚合物基体和<2wt％的氮化硼量子点组成。其制备方法为将氮化硼量子点引入到聚合物单体或聚合物溶液或聚合物粒子中，混合均匀后，通过旋涂、刮涂或模压工艺制备复合薄膜。宽带隙氮化硼量子点在聚合物内构筑了大量的深陷阱，有效捕获了电子；其纳米库伦阻塞效应进一步阻碍了载流子传输，显著提升了介质的击穿强度。最终，极低的填充量下，获得了具有较大储能密度和效率的电介质材料，大幅提升了聚合物电介质材料的使用寿命和循环稳定性，其强度、柔韧性和导热性能也同步提升。该制备方法工艺简单、成本低廉、可设计性强，可广泛应用于薄膜电容和埋容器件中。 |
